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ES622系列TLP脈沖IV曲線系統(tǒng)

ES622系列TLP脈沖IV曲線系統(tǒng)是一種IV曲線表征系統(tǒng),TLP符合ANSI/ESD STM 5.5.1標準,旨在高功率時域中模擬ESD事件(TLP/VF-TLP/HMM/HBM/MM脈沖)及監(jiān)控設備(半導體、分立器件、電路模塊等)。應用于ESD性能表征/晶圓/封裝級ESD測試系統(tǒng)/電路模塊ESD測試/安全操作區(qū)(SOA)測試/觸摸屏ITO微帶線熔斷和擊穿測試等。

  • 產(chǎn)品型號:ES622-50
  • 廠商性質(zhì):代理商
  • 更新時間:2024-09-23
  • 訪  問  量:580
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詳細介紹

ES622系列TLP脈沖IV曲線系統(tǒng)(含HMM、HBM、MM外部模塊)介紹:

1.描述

ES622系列TLP脈沖IV曲線系統(tǒng)是一種IV曲線表征系統(tǒng),旨在高功率時域中模擬ESD事件(TLP/VF-TLP/HMM/HBM/MM脈沖)及監(jiān)控設備(半導體、分立器件、電路模塊等)。ES622相比之前的ES620,規(guī)格更高,功能更多,擴展能力更強,軟件體驗更佳。

傳輸線脈沖(TLP)測試功能旨在滿足新的ANSI/ESD STM5.5.1測試標準,并將高質(zhì)量矩形脈沖應用于被測器件并記錄器件兩端的電壓和電流??衫L出脈沖IV曲線,允許用戶在納秒級時間窗口內(nèi)表征器件的瞬態(tài)響應。設備集成了先進的自動器件故障檢測方法,例如:直流抽檢(V或I)、靜態(tài)IV曲線、熔斷、擊穿和偏置源波動。

VF-TLP測試旨在模擬CDM速度ESD事件,并在高速(例如<100ps上升時間)ESD瞬態(tài)下捕獲DUT兩端的電壓和通過 DUT的電流。這允許用戶研究器件的響應速度和峰值鉗位電壓。

人體金屬模型(HMM)測試功能是IEC61000-4-2系統(tǒng)級ESD的替代測試方法。它為低歐姆設備提供了理想標準波形的等效波形,并消除了組件或晶圓級測試的許多IEC槍測試問題,例如可重復性、槍尖不精確、阻抗不匹配、來自非屏蔽繼電器的EMI干擾以及具有大接地平面和耦合平面的特殊裝置等。

2.特點

可靈活配置的TLP脈沖IV曲線系統(tǒng)

超緊湊的設計系統(tǒng)

具有多線程處理能力的超快測試速度

提供20A、40A、50A、100A、125A、150A型號(可定制)

可用軟件提供高級系統(tǒng)和附件監(jiān)控和控制(開關壽命監(jiān)視器、E-Cal 模塊、示波器衰減調(diào)整)

測試功能可通過VF-TLP、HMM、HBM、MM選項進行擴展

多種故障自動檢測方式(直流抽檢(V或I)或IV掃描、熔斷、擊穿和偏置電流變化)

軟件控制脈沖:突發(fā)、連續(xù)、IV曲線表征

上升時間選項從40ps到1200ns(取決于型號,可定制)

脈沖寬度選項從1ns到2000ns(取決于型號,可定制)

注意:EOS系列支持更長的脈沖應用,脈沖寬度從幾百ns到幾ms

3.應用

ESD性能表征

晶圓/封裝級ESD測試

系統(tǒng)/電路模塊ESD測試

安全操作區(qū)(SOA)測試

充電恢復時間測試

太陽能電池板二極管特性

觸摸屏ITO微帶線熔斷和擊穿測試

相關標準:

TLP/VF-TLP選項符合ANSI/ESD STM 5.5.1標準

HMM選項符合ANSI/ESD SP5.6標準

HBM選項符合ANSI/ESDA/JEDEC JS-001標準

MM選項符合ANSI/ESDA SP5.2標準

4.規(guī)格

ES622系列TLP單元規(guī)格表

參數(shù)

ES622-20

ES622-50

ES622-100
           

ES622-125

ES622-150

單位

可根據(jù)要求提供特殊型號,例如 40、100、200+ A

開路輸出電壓

±0.5~1000

±0.5~2500

±0.5~5000

±0.5~6250

±0.5~7500

V


開路最小電壓步長

0.1

0.1

0.1

0.1

0.1

V


短路輸出電流

±0.01~20

± 0.01~50

±0.01~100

±0.01~125

±0.01~150

A


電壓精度

精度可在1–10 %之間調(diào)節(jié)

%

速度/精度軟件可調(diào)

最快上升時間*         (默認20-80%)

≤50

≤200

≤300

≤300

≤300

ps

特殊配置可提供10-90%最快至40 ps 的上升時間

上升時間范圍

0.05~1200

0.2~1200

0.3~1200

0.3~1200

0.3~1200

ns


上升時間選項

無限的可編程或手動選項


可定制

脈寬   (默認50-50%)

100±1

ns

默認

最小脈寬

0.5

1

5

5

5

ns


最大脈寬

2000

2000

1500

1500

1000

ns


脈寬選項

無限的可編程或手動選項


可定制

測試速度

通常0.2~2

s

因硬件設置而異

尺寸

347WX300DX145H

mm

可能因定制而改變

重量

8

8

8

10

12

kg


支持的示波器

Tektronix,Agilent,LeCroy,Rigol的主要系列

其他可根據(jù)要求支持

支持 的SMU

Keithley 24xx/26xx系列SMU

其他可根據(jù)要求支持

ES62X-HMM2外置人體金屬模型模塊(短路DUT,符合ANSI/ESD SP5.6的100Ω HMM)

參數(shù)

ES620-25

ES620-50

ES622-100

ES620-125

ES620-150

單位

備注

IEC等效等級

6

12

24

30

36

kV


HMM 峰值電流

22.5

45

90

112.5

135

A

3.75A每1kV≤±10%


IEC 61000-4-2 (R=330?, C=150pF)

HMM 電流 @ 30ns

12

24

48

60

72

A

≤±10% (優(yōu)于±30%IEC)

HMM 電流 @ 60ns

6

12

24

30

36

A

≤±10% (優(yōu)于±30%IEC)

ES62X-HBM2外置人體模型模塊(ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 R=1.5k?, C=100pF)

參數(shù)

ES620-25

ES620-50

ES622-100

ES620-125

ES620-150

單位

備注

最大 HBM測試等級

±2

±4

±8

±10

±12

kV


最小HBM 測試等級


± 50

V


最小測試步長


1

V

通過USB,用PCB控制

電荷泄放電阻


10K

Ohm


電壓輸出靈敏度


1/201

V/V

注入50 Ohm時誤差小于± 3%

電流傳感器靈敏度


1

V/A

注入50 Ohm時誤差小于± 3%

測試速度


>=1

S

根據(jù)標準,最大1P/s

物理尺寸


90X90X130

mm


5.訂購信息

編號

部件型號

描述

TLP IV曲線系統(tǒng)基礎配置

1.1

ES622-20

ES622 TLP脈 IV曲線系統(tǒng),20A基礎單元

1.2

ES622-25

ES622 TLP脈沖IV曲線系統(tǒng),25A基礎單元

1.3

ES622-40

ES622 TLP脈沖IV曲線系統(tǒng),40A基礎單元

1.4

ES622-50

ES622 TLP脈沖IV曲線系統(tǒng),50A基礎單元

1.5

ES622-100

ES622 TLP脈沖IV曲線系統(tǒng),100A基礎單元

1.6

ES622-125

ES622 TLP脈沖IV曲線系統(tǒng),125A基礎單元

1.7

ES622-150

ES622 TLP脈沖IV曲線系統(tǒng),150A基礎單元

上升時間選項 (僅作為案例配置展示,可供定制)

2.1

ES62x-PRT4

可編程的4個脈沖上升時間過濾器模塊
   (默認:   內(nèi)置1ns、5ns、10ns可定制)

2.2

ES62x-PRT10

可編程的10個脈沖上升時間過濾器模塊
     (默認:   內(nèi)置0.5ns、1ns、2ns、5ns、10ns、20ns可定制)

2.3

ES62x-ERTF

手動外部上升時間過濾器

脈寬選項(僅作為案例配置展示,可供定制)

3.1

ES620-PPL4

可編程的4個內(nèi)置脈寬模塊

3.2

ES620-PPL10

可編程的10個內(nèi)置脈寬模塊

3.3

ES620-MPLEx

手動脈寬外部變動選項



外置脈沖模塊選項

4.1

ES62X-HBM2

人體模型 (HBM) ESD脈沖模塊及測試設置選項


(ANSI/ESDA/JEDEC JS-001脈沖測試及IV測量)

4.2

ES62X-HMM2

人體金屬模型(HMM) ESD脈沖模塊及測試設置選項


(IEC61000-4-2脈沖測試及IV測量)

4.3

ES62X-MM2

機器模型(MM) ESD脈沖模塊及測試設置選項


(ANSI/ESDA SP5.2脈沖測試及IV測量)

漏電或直流IV測量選項

5.1

ES62X-SSM

系統(tǒng)開關模塊(在脈沖及直流測試間切換)

5.2

ES62X-STP1

SMU 瞬態(tài)保護器

直流偏置測量選項

6.1

BT-100V2A6G

TLP測試偏置三通,10kHz – 6GHz,100V,2A DC/10A脈沖電流

6.2

BT-100V4A3G

TLP測試偏置三通,10kHz – 3GHz,100V,4A DC/20A脈沖電流

6.3

BT-450V2A5G

TLP測試偏置三通,10kHz – 5GHz,450V,2A DC/10A脈沖電流

ESD 注入及IV曲線測量選項

7.1

ES62X-PSTT

用于封裝級標準TLP測試的TDR-O測試裝置

7.2

ES62X-PVFTT

用于封裝級VF-TLP測試的TDR-S測試裝置

7.3

ES62X-CMPS

簡易式手動探針臺,配有可靈活移動的真空泵和顯微鏡

7.4

ES62X-WSTT

用于晶圓級標準TLP測試的TDR-O測試裝置,含探針座

7.5

ES62X-WVFTT

用于晶圓級VF-TLP測試的TDR-S測試裝置,含探針座

與TLP系統(tǒng)匹配的示波器

8.1

MISC-OSC1

數(shù)字示波器( 1GHz,5Gs,4通道,推薦用于標準TLP測試)

8.2

MISC-OSC6

數(shù)字示波器( 6GHz,5Gs,4通道,推薦用于VF-TLP測試)


許多配置可根據(jù)客戶需求定制。

 
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