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ES622系列TLP脈沖IV曲線系統(tǒng)是一種IV曲線表征系統(tǒng)，TLP符合ANSI/ESD STM 5.5.1標(biāo)準(zhǔn)，旨在高功率時(shí)域中模擬ESD事件（TLP/VF-TLP/HMM/HBM/MM脈沖）及監(jiān)控設(shè)備（半導(dǎo)體、分立器件、電路模塊等）。應(yīng)用于ESD性能表征/晶圓/封裝級(jí)ESD測(cè)試系統(tǒng)/電路模塊ESD測(cè)試/安全操作區(qū)（SOA）測(cè)試/觸摸屏ITO微帶線熔斷和擊穿測(cè)試等。

ES612A ESD測(cè)試儀(HBM、HMM、MM)是一款2管腳ESD測(cè)試儀，為晶圓、封裝、PCB和系統(tǒng)級(jí)ESD測(cè)試而設(shè)計(jì)。該測(cè)試儀的波形可以符合HBM、HMM和MM的相關(guān)ESD標(biāo)準(zhǔn)。測(cè)試儀上的DC特性測(cè)試端口，可搭配數(shù)字源表等DC測(cè)試設(shè)備，較為輕松的幫助確定ESD損傷閾值。ES612A可搭配64pin/128pin多管腳自動(dòng)化測(cè)試儀進(jìn)行應(yīng)用擴(kuò)展，也可用作器件質(zhì)檢規(guī)范流程的一步。

ES640充電器件模型（CDM）測(cè)試系統(tǒng)，充電器件模型（CDM）靜電放電是微電子電路故障的常見原因。較低電壓下的C??DM放電會(huì)嚴(yán)重?fù)p壞或損毀靈敏設(shè)備。當(dāng)帶靜電的設(shè)備以不同的電位接觸金屬表面時(shí)，通常會(huì)發(fā)生這種情況。這種靜電放電通常具有非常快的上升時(shí)間。

TLP-1000A系列傳輸線脈沖發(fā)生器是我們最新的（2022）獨(dú)立TLP脈沖設(shè)計(jì)，可以產(chǎn)生直接TLP脈沖、E場(chǎng)和H場(chǎng)并將其注入被測(cè)器件（DUT）。該發(fā)生器設(shè)計(jì)用于施加高達(dá)5kV（50歐姆負(fù)載）的高質(zhì)量矩形脈沖。5英寸彩色I(xiàn)PS觸摸屏和USB端口可以輕松遠(yuǎn)程控制電壓極性、振幅和脈沖速率?？啥ㄖ频拿}沖寬度和上升時(shí)間以及可變測(cè)量附件使發(fā)電機(jī)功能可擴(kuò)展。

ES62X-LVS低壓浪涌系統(tǒng)，能夠輸出符合IEC 61000-4-5，GR-1089-CORE和C62.45-2002標(biāo)準(zhǔn)的雷電浪涌特性波形，用于晶圓級(jí)和封裝級(jí)器件的浪涌敏感度測(cè)試。系統(tǒng)具有瞬態(tài)波形測(cè)量和靜態(tài)IV曲線測(cè)試功能，便于確定被測(cè)器件的ESD損傷閾值。

EOS-500過(guò)電應(yīng)力模擬發(fā)生器是一款50歐姆輸出阻抗脈沖發(fā)生器，用于一般EOS測(cè)試，脈沖寬度可在ns至ms范圍內(nèi)調(diào)節(jié)。

CDM 器件充放電測(cè)試系統(tǒng)為ESD事件中的器件充放電測(cè)試模型， 模擬帶電荷的器件在接觸地低電荷時(shí)瞬間放電形成電流，對(duì)器件造成損傷和擊壞的過(guò)程

ES612 HBM（HMM,MM）測(cè)試儀是一款2管腳測(cè)試儀，為晶圓、封裝、PCB和系統(tǒng)級(jí)ESD測(cè)試而設(shè)計(jì)。該測(cè)試儀的波形可以符合HBM，HMM和MM 的相關(guān)ESD標(biāo)準(zhǔn)。測(cè)試儀上的DC特性測(cè)試端口，可搭配數(shù)字源表等DC測(cè)試設(shè)備，較為輕松的幫助確定ESD損傷閾值。ES612 ESD測(cè)試儀可搭配多管腳自動(dòng)化測(cè)試儀進(jìn)行應(yīng)用擴(kuò)展，也可用作器件質(zhì)檢規(guī)范流程的一步。